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簡(jiǎn)要描述：華測(cè)高溫拉伸壓縮試驗(yàn)爐，通過(guò)多年研究開(kāi)發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置儀器。它能在高速加熱高速冷卻時(shí)，具有良好的溫度分布。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，溫度斜率爐，階段加熱爐。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱式樣，無(wú)氣氛污染。可在高真空，高出純度氣體中加熱。
產(chǎn)品型號(hào)：Huace-800G廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-12-19訪 問(wèn) 量：2965產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 華測(cè)儀器 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
設(shè)備原理：
1. 輻射加熱
紅外鍍金聚焦?fàn)t是利用高能量密度的紅外光源作為加熱源的輻射加熱爐。爐體由鋁合金制成，紅外線反射面拋光，鍍金，反高光。同時(shí)配置水冷裝置。
2. 紅外線燈
紅外鍍金聚焦?fàn)t是利用高能量密度的紅外光源作為加熱源的輻射加熱爐。爐體由鋁合金制成，紅外線反射面拋光，鍍金，反高光。同時(shí)配置水冷裝置。
3. 反射光
反射鏡是用曲率加工以提高反射率。反射鏡有兩種類型，一種是橢圓形的，另一種是拋物線型的，該模型rhl-e和vht-e系列有一個(gè)橢圓形反射器和適合的棒狀樣品加熱，和其他模型：rhl-p,RHL PS和RHL PSS系列具有拋物線型反射器和適用于片狀樣品。
設(shè)備特點(diǎn)
1. 高速加熱與冷卻方式
高能量的紅外燈和鍍金反射鏡允許高速加熱到高溫。同時(shí)體可配置水冷，增設(shè)氣體冷卻裝置，可實(shí)現(xiàn)快速冷卻。
2. 溫度控制
通過(guò)紅外鍍金聚焦和溫度控制器的組合使用，可以控制樣品的溫度。此外，冷卻速度和保持在任何溫度下可提供。
3. 清潔加熱
反射鏡是用曲率加工以提高反射率。反射鏡有兩種類型，一種是橢圓形的，另一種是拋物線型的，該模型rhl-e和vht-e系列有一個(gè)橢圓形反射器和適合的棒狀樣品加熱，和其他模型：rhl-p,RHL PS和RHL PSS
4. 不同環(huán)境下的加熱與冷卻
北京華測(cè) 高真空退火爐加熱/冷卻可用真空、氣氛環(huán)境，低溫（高純度惰性氣體靜態(tài)或流動(dòng)），操作簡(jiǎn)單，使用石英玻璃制成。紅外線可傳送到加熱/冷卻室。
設(shè)備結(jié)構(gòu)：
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 數(shù)量 | 品牌 | 備注 |
1 | 爐體 | 1 | 華測(cè) | 溫度1200℃ |
2 | 加熱源 | 1 | GE（） | |
3 | 溫度控制器 | 1 | 華測(cè) | |
4 | 電熱偶 | 1 | omega | |
5 | 溫控表 | 1 | 歐姆龍（） | |
6 | 穩(wěn)壓電源 | 1 | 華測(cè) | 可定制 |
7 | 制冷水機(jī) | 1 | 同飛 | 制冷功率8KW |
8 | 分子泵 | 1 | 萊寶（） | CF法蘭，抽速≥40L/s，極限真空度優(yōu)于-0.8Mpa |
結(jié)構(gòu):
溫控系統(tǒng)：設(shè)備采用PID溫度控制，同時(shí)采用移相觸發(fā)技術(shù)保證試驗(yàn)溫度，確保±1℃的均勻性，多區(qū)獨(dú)立控溫補(bǔ)償邊緣熱損失；
• 根據(jù)設(shè)備上的溫度控制器輸入?yún)?shù)，您也可以簡(jiǎn)單輸入溫度程序設(shè)定和外部信號(hào)。另外還可以在電腦上顯示熱中的溫度數(shù)據(jù)；
• 自適應(yīng)熱電偶包括JS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型；
• 最大可設(shè)定32個(gè)程序、256個(gè)步驟的程序；
• 30A、60A、120A內(nèi)置了SCR電路，所以范圍很廣。
• 腔體設(shè)計(jì)： 石英或碳化硅材質(zhì)，耐高溫且低污染，晶圓通過(guò)自動(dòng)傳輸系統(tǒng)進(jìn)出，減少人為干擾；
• 進(jìn)口干泵： 抽速>120L/min，極限真空度≤4pa，噪音小于 52db；
• 進(jìn)口全量程真空規(guī)：刀口法蘭接口，真空測(cè)量范圍 5×10^-7 Pa 到 1atm。
技術(shù)規(guī)格:
產(chǎn)品型號(hào)：Huace-800G/1200G/1450G
最大產(chǎn)品尺寸：6 寸晶圓或者最大支持150 x 150mm產(chǎn)品
溫度范圍：室溫 ~ 1250 °C
最高升溫速度：<100 ℃ /s 可編程（此溫度為不含載盤的升溫速度）< 25 ℃ /s（SiC 載盤）
溫度均勻度：±5 °C ≤ 500 ℃ ±1 % > 500 ℃
溫度控制重復(fù)性：±1 °C
溫控方式：快速 PID 溫控
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