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高準度多通道弱電流表征｜華測儀器多通道電流矩陣模塊發(fā)布時間：2026-04-29

半導體研發(fā)、新材料表征、產(chǎn)線批量質(zhì)檢、微弱電流測試場景中，你是否長期受到通道數(shù)量不足、測試速率緩慢、測量精度漂移、數(shù)據(jù)穩(wěn)定性差等痛點困擾？針對半導體、功能材料、工業(yè)化量產(chǎn)批量測試的關(guān)鍵難題，華測儀器HC-PAX多通道電流矩陣模塊，一站式解決多通道微弱信號測試瓶頸。設(shè)備單機箱標配8...

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2019
4-1

絕緣材料耐電弧arc resistance試驗定義及設(shè)備
絕緣材料耐電弧arcresistance試驗定義及設(shè)備定義下列定義適用于本標準。失效failure當被試材料內(nèi)形成導電通道時,認為材料已經(jīng)失效。如果電弧引起某一材料燃燒和當電弧被切斷后材料還繼續(xù)燃燒,則也認為材料已經(jīng)失效。注1:當電弧放電因...
2019
4-1

北京華測電壓擊穿測試儀操作做使用說明
電壓擊穿測試儀的使用要求一、環(huán)境要求：1、工作室不低于15㎡，周圍不應(yīng)受易爆、易燃的氣體以及電磁場和電火花干擾。2、實驗室獨立控溫，溫度為20±5℃，相對濕度為65±5%。3、設(shè)備操作工工作區(qū)域內(nèi)地面鋪設(shè)絕緣材質(zhì)...
2019
3-25

絕緣材料耐電弧試驗范圍及參數(shù)
絕緣材料耐電弧試驗范圍及參數(shù)1，范圍本標準敘述的試驗方法能夠提供同類絕緣材料當其被暴鯡于高電壓小電流電弧放電時,它們之間耐受發(fā)生在緊靠表面損壞情況的初步差異。電弧放電引起局部熱的和化學的分解與腐蝕并終在絕緣材料上形成導電通道。試驗條件的嚴酷...
2019
3-22

新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件
新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件5測量程序5.1測量條件5.1.1環(huán)境溫度為23±5℃，相對濕度不大于65%.5.1.2電磁屏蔽。5.1.3高阻試樣應(yīng)在光屏蔽條件下測量。5.1.4試樣中電場強度不能過大，以避...
2019
3-22

高低溫試驗箱的常識
高低溫試驗箱的常識高低溫試驗箱：適用于工業(yè)產(chǎn)品高溫、低溫的可靠性試驗。對電子電工、汽車摩托、航空航天、船舶兵器、高等院校、科研單位等相關(guān)產(chǎn)品的零部件及材料在高溫、低溫（交變）循環(huán)變化的情況下，檢驗其各項指標。高低溫試驗箱根據(jù)試驗方法與行業(yè)標...
2019
3-21

新材料電阻率測定直排四探針法——確定電學測量裝置的適用性和準確度
新材料電阻率測定直排四探針法——確定電學測量裝置的適用性和準確度5.3確定電學測量裝置的適用性和準確度5.3.1將恒流源短路或關(guān)閉，斷開探針裝置與電學測量裝置的連接。5.3.2按表2選擇模擬電路中電阻r的阻值.將電流引線（圖2中1和4）接到...

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